yuban

芯聞速遞 | 英飛淩推出新一代高功率密度功率模組，賦能AI資料中心垂直供電；針對AI資料中心推出先進的電池備份單元技術

【 2025 年 3 月 12 日 , 德國慕尼克訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛淩科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）宣佈推出新一代高密度功率模組，該模組將在實現AI和高性能計算方面發揮關鍵作用。全新OptiMOS™ TDM2454xx四相功率模組通過提升系統性能並結合英飛淩一貫的穩健性，為AI資料中心運營商實現業界領先的功率密度，降低總體擁有成本（TCO）。

OptiMOS™ TDM2454xx四相功率模組實現了真正的垂直供電（VPD），並提供 行業領先的 2 安培 / 平方毫米電流密度 。此模組延續了英飛淩去年推出的OptiMOS™ TDM2254xD和 TDM2354xD 雙相功率模組，繼續為加速計算平臺提供卓越的功率密度。在傳統水準供電系統中，電流需要流經半導體晶圓表面，這導致了電阻增加並產生了明顯的功率損耗。 垂直供電通過縮短電流傳輸路徑，減少電阻損耗，從而提升系統效率。
根據國際能源署（IEA）資料，資料中心目前占全球能耗的2%。在AI發展的推動下，資料中心的電力需求預計將在2023至2030年間增長165%。持續提升從電網到主機板核心的電源轉換效率與功率密度是進一步提高計算性能並降低TCO的關鍵。

英飛淩科技功率IC產品線副總裁Rakesh Renganathan表示：“我們很高興推出 OptiMOS™ TDM2454xx VPD模組，來擴展英飛淩的高性能 AI 資料中心解決方案。我們採用三維的設計方式，並且利用業界領先的功率器件、封裝技術，以及我們深厚的系統底蘊，提供高性能的節能型計算解決方案，進一步實現我們推動數位化和低碳化的企業使命。”

通過採用英飛淩強大的OptiMOS™ 6溝槽式技術功率元件和嵌入式晶片封裝，OptiMOS™ TDM2454xx模組可以提供優異的電氣和散熱性能，同時運用創新的超薄電感設計技術，不斷提高VPD系統性能和品質的極限。此外，OptiMOS™ TDM2454xx的結構設計有利於模組化拼接，且能改善電流傳導，進而提升電氣、散熱和機械性能。該模組在四相電源中最高支持280A電流，並在僅10x9 mm²的小型封裝內整合了嵌入式電容層，結合英飛淩的 XDP™ 控制器，可實現穩定耐用的高電流密度功率解決方案。

OptiMOS™ TDM2454xx模組進一步鞏固了英飛淩在市場中的特殊地位。憑藉基於所有相關半導體材料的廣泛產品和技術組合，英飛淩能夠以更節能的方式為不同的AI伺服器配置提供從電網到核心的動力。